Алейникова Е.А.

 (19)SU(11)1195849(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/28(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ Изобретение относится к полупроводниковой технике/ в частности к способам создания многослойных контактных систем. Цель изобретения - повышение точнос...

 (19)SU(11)1228722(13)A3(51)  МПК 5    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Целью изобр...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур за счет устранения недотравленных участков рабочих слоев. На подложку с рабочим слоем наносят слой резиста и электронолитографией формируют в нем рельеф с отрицательным профилем. Допроявление резиста осуществляют реактивным ионно-лучевым травлением (РИЛТ) в среде кислор...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания. На поверхность полупроводниковой или диэлектрической пластины наносят маскирующее покрытие. В маскирующем покрытии с помощью литографических операций создают о...

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Цель изобретения - улучшение свойств шаблонов. На заготовке шаблона (ЗШ) формируют резистивную маску. Через нее осуществляют реактивное ионнолучевое травление (РИЛТ) пленки хрома в среде галагенсодержащего газа 80 - 90% ее исходной толщины. Затем осуществляют ионно-лучевое травление в инертном газе для удаления нелетучих фторхлористых с...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества обрабатываемой структуры за счет исключения возможности образования на поверхности полупроводника нарушенного слоя при одновременном повышении плазмостойкости защитной маски. Поставленная цель достигается тем, что после созда...