Касумов А.Ю.

 Микромостик переменной толщины, выполненный в виде двух электродов, соединенных перешейком, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения с одновременным увеличением срока службы за счет увеличения максимальной силы тока, протекающего по микромостику, микромостик выполнен из металлического монокристалла с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах 0,1 -...

 Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины...

 Способ получения металлических микромостиков, включающий электрохимическое травление металлического кристалла до образования узкого перешейка, соединяющего два массивных электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств микропроводников и уменьшения их размеров, перешеек расплавляют проходящим через него в режиме заданного напряжения током и выдерживают в расплав...

 Сандвич-структура, выполненная в виде двух проводников, разделенных диэлектрическим слоем и соединяющихся через расположенные в диэлектрическом слое проводящие микрозакоротки, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения и улучшения теплоотвода, в качестве одного из проводников использован металлический кристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах...

 Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенно...

 Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %: Sb - 10-5 - 23 Bi -...

 Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%:...