Нечипоренко А.П.

 Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния. 2 с. и 4 з.п.ф-лы. Областью применения изобретения является микроэлектроника, а им...

 Использование: в микроэлектронике, при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления мощного сильноточного МОП транзистора включает операции формирования областей стока 1-го типа проводимости МОП транзистора, маскирующего диэлектрика на поверхности пластины, углублений для выделения на пластине монокристаллических участков, тонкого...