Бурзин С.Б.
Изобретатель Бурзин С.Б. является автором следующих патентов:
Способ формирования диоксида кремния
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния. 2 с. и 4 з.п.ф-лы. Областью применения изобретения является микроэлектроника, а им...
2191848