Габриелян В.Т. (RU)

 Изобретение относится к области выращивания тугоплавких кристаллов методом Чохральского. В основу технического решения положена задача создания устройства для выращивания кристаллов методом Чохральского, в котором за счет установки внутри расплава в тигле гидродинамической вставки, содержащей внешнюю и внутреннюю части, создания криволинейных каналов и наличия в их нижней части кольцевого...

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов соединений, обладающих высокой упругостью паров над расплавом в условиях роста при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского. Сущность изобретения: способ состоит из 2 стадий, включающих выращивание легированных кристаллов, из которых изготавливаются заготовки затравок в виде диска заданного диаметра толщиной порядка 5-6 мм для...