Шамис М.М.
Изобретатель Шамис М.М. является автором следующих патентов:
Способ получения пятиокиси ванадия высокой степени чистоты
(19)SU(11)1208818(13)A1(51) МПК 6 C22B34/22(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЯТИОКИСИ ВАНАДИЯ ВЫСОКОЙ СТЕПЕНИ ЧИСТОТЫ Изобретение относится к металлургии ванадия и может быть использовано в производстве ферросплавов, в частности чистого металлического вана...
1208818Способ получения сверхпроводящего материала
Способ получения сверхпроводящего материала на основе кислородсодержащих соединений меди, бария и редкоземельных элементов, включающий прессование исходного несверхпроводящего продукта аналогичного катионного состава и высокотемпературного спекания с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 0,5-1,0 град/мин в токе кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения эл...
1656833