Крючков Ю.Ю.

 (19)SU(11)1218855(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/265(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Изобретение относится к разделу технической физики и может быть использовано при имплантации ионов в различные материалы в технологии изготов...

 (19)SU(11)1253380(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/263(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых материалов, в частности к способам отжига радиационных дефектов, полученных ионной бомбардировкой...

 Изобретение относится к обработке металлов и сплавов потоками энергии. Цель изобретения - уменьшение коэффициента трения при скольжении металла по металлу достигается тем, что в качестве слоя металла, наносимого на поверхность, используют свинец толщиной и производят облучение его поверхности ионным пучком плотностью потока мощности W=0.2-0.5106 Вт/см2 . Такая обработка приводит к улучше...