СТРАТИЕНКО В.М.

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (51)5 .Н 01 L 21/306 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОРИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPbffHA (46) 23.10.90. Бюл. В 39 (21) 36945 6/24-25 (22) 26.01.84 (72) В.И.Стратиенко и С. .Осинов (53) 621.382 (088.8) (56) !. Adams А., Capio С, Edge profiles in the plasma. etching of polycrystaline silico...

  Изобретение относится к микро- . электронике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изоб-. ретения - исключение подтрава нитрида кремния.на обратной стороне пластин за счет снижения рабочего давления . Способ селективного травления кремння включает обработку нитрида кремния, лежащего на крем- : НИИ или тонком подслое двуокиси кремния,...