Ячменев В.В.

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подле...

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ плазменного травления контактных окон в изолирующих и пассивирующих слоях диэлектриков на основе кремния, включает обработку слоя диэлектрика в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 300 до 1200 Па и плотности ВЧ-мощности от 4,0 до 8,0 Вт/см2 в плазме четырехкомпонентной смеси при следующем соо...

 Использование: микроэлектроника, производство БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ планаризации интегральных схем путем плазменного травления в индивидуальном диодном реакторе при давлении от 150 до 600Па и плотности ВЧ мощности от 3,5 до 8,0 Вт/см2 в четырехкомпонентной смеси при следующем соотношении компонентов, об. % : октофторпропан или тексафторэтан 13 - 70, гексафторид серы или...

 Использование: для изготовления строительных изделий, таких, как стеновые камни, черепица, тротуарная плитка. Цель - повышение производительности путем повышения степени механизации и автоматизации процесса изготовления изделий без избыточного усложнения конструкции. Сущность изобретения: установка для изготовления строительных изделий включает неподвижную станину 1 с вертикальными направ...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных или МОП транзисторах. Сущность изобретения: процесс реактивного ионного травления поликремния в плазме гексафторида серы (SF6) и кислорода при содержании кислорода в газовой смеси 25-35 об.% в два этапа при разных уровнях мощности (1,2-1,4 Вт/см2 и 0,5-0,7 Вт/см2) с использованием датчика окончания процесса...

 Использование: технология изготовления ИС на этапе формирования резисторов и защитных металлических покрытий. Сущность изобретения: процесс реактивного ионно-плазменного травления пленок Та, TaN, TaAl в плазме BCl3-Cl2-CCl4-N2 с дотравливанием остатков этих пленок на рельефной поверхности в плазме CF4-O2 или SF6-O2. Технический результат изобретения заключается в уменьшении разброса значе...

 Способ относится к области микроэлектроники, к технологии изготовления интегральных схем на этапе формирования многоуровневой металлической разводки. Сущность изобретения: для формирования наклонного профиля переходных окон в диэлектрике сформированная на его поверхности фоторезистивная маска подвергается термообработке при 140-160oС до получения наклонных стенок окон, а затем плазмохимич...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем на этапе плазменного травления пассивирующих покрытий. Техническим результатом изобретения является устранение образования фторуглеродной пленки, что приводит к повышению качества изделий. Сущность изобретения заключается в проведении процесса плазменного травления двухслойного пассивирующего покрытия SiC-Si3N4 в газовой...