Колобова Л.А.

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных или МОП транзисторах. Сущность изобретения: процесс реактивного ионного травления поликремния в плазме гексафторида серы (SF6) и кислорода при содержании кислорода в газовой смеси 25-35 об.% в два этапа при разных уровнях мощности (1,2-1,4 Вт/см2 и 0,5-0,7 Вт/см2) с использованием датчика окончания процесса...

 Способ относится к области микроэлектроники, к технологии изготовления интегральных схем на этапе формирования многоуровневой металлической разводки. Сущность изобретения: для формирования наклонного профиля переходных окон в диэлектрике сформированная на его поверхности фоторезистивная маска подвергается термообработке при 140-160oС до получения наклонных стенок окон, а затем плазмохимич...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем на этапе плазменного травления пассивирующих покрытий. Техническим результатом изобретения является устранение образования фторуглеродной пленки, что приводит к повышению качества изделий. Сущность изобретения заключается в проведении процесса плазменного травления двухслойного пассивирующего покрытия SiC-Si3N4 в газовой...