Либерман Ф.Я.

 Использование: цифровые и аналоговые устройства, в частности отказоустойчивые. Сущность изобретения: структура полупроводникового прибора состоит из двух слоев одного типа проводимости и расположенного между ними тонкого слоя полупроводника другого типа проводимости. Толщина промежуточного слоя меньше длины диффузионного пробега носителей, слой имеет низкую концентрацию легирующей примеси...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и микроэлектронике, классу многофункциональных приборов. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей прибора. Предложен полупроводниковый прибор, структура которого в зависимости от коммутации выводов прибора может выполнять функции комплементарных n-МОП и р-МОП транзисторов, или комплементарных биполярны...