АРИСТОВ ВИТАЛИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

  Изобретение относится к спосо- ,бам получения изображения в растровом электронном микроскопе (РЭМ) в режиме вторичной электронной эмиссии. Цель изобретения - повышение разрешающей способности, достигается за счет повышения отношения сигнал - шум. Устройство, реализующее способ, содержит элемент, формирующий пучок 1 первичных электронов, отклоняющую систему 2, исследуемый объект 3...

  СОКИ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУВЛИН (19) (11) А1 (51) 4 Н О1 J 37/28 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АЮТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3873615/24-21 (22) 20.03.85 (46) 23,10.86. Бюл. Ф 39 (71) Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР (72) В.В. Аристов и В.В. Казьмирук (53) 621.385.83...

  Изобретение относится к способам рентгеновского контроля качества материалов и может быть использовано в различных отраслях промышленности. Цель изобретения - повышение чувствительности к обнаружению включений в объеме. На контролируемый объект направляют узкий коллимированный пучок рентгеновских лучей, выводят объект в отражающее положение для выбранного отражения HKL и выделяют...

  Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу монокристаллов, а более конкретно - к микрофокусным аппаратам для исследований псевдокосселевским методом. Цель изобретения - повышение точности и упрощение расшифровки рентгенограмм. Для этого магнитная линза 4 расположена между кристаллодержателем 1 и фотокассетой 5, выполненной с возможностью прижатия рентгеновской пленки 6 и...

  Изобретение относится к способам рентгеновского контроля качества материалов в виде тонких пленок и может быть использовано в различных отраслях промышленности, связанных с получением тонких пленок, в том числе в микроэлектронике. Способ включает формирование падающего пучка от линейчатого источника системой щелей, ориентацию на гониометре подложки с пленкой под малым (преимуществ...

  Сущность изобретения: измеряют интенсивность рентгеновского излучения, рассеянного поверхностью кристалла на многокристальном дифрактометре в режиме углового сканирования в -20. Строят зависимость I в2 от в . Глубину рельефа вычисляют по формуле: t А/2 в0 cos OB . где А-длина волны рентгеновского излучения; в0- период зависимости I 02от#, 0 в точный брэгговский угол, 0- угловое о...