Михалицына О.В.

 Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера. Сущность изобретения: затравка в первом варианте выполнения содержит базовую затравку-основание ZY или XY среза, механически прикрепленные перпендикулярно к ее краям дополнитель...

 Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций. Затравка для выращивания монокристалла кварца содержит во всех вариантах выполнения базовую затравку и дополнительные элементы, механически соед...

 Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности, гидротермальным методом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин с малым число дислокаций и за более короткое время. Сущность изобретения: затравку, выполненную в виде трехсторонней незамкнутой в направлениях области +Х рамки из базовой затравки ZY или ХY среза...

 Изобретение относится к средствам выращивания кристаллов из растворов, в частности кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, и может использоваться для выращивания крупных кристаллов. Сущность изобретения: затравка для выращивания монокристалла кварца содержит размещенные встык в одной плоскости так, что направления их кристаллографических осей совпадаю...