КОТЛЯРЕВСКАЯ ЕЛЕНА БОРИСОВНА

  Изобретение относится к приборостроению и позволяет повысить метрологические характеристики тензопреобразователей. Изготавливают тензорезисторы (Т) 3 на диэлектрической подложке 2, которую прикрепляют затем к поверхности мембраны 1. Созда- .ют в мембране 1 нарастающую деформацию от нуля путем зтвеличения давления в подмембранной полости до появления трещин 4 в подложке 2 под ТЗ,...

  Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано для измерения давлений с повышенной чувствительностью. В тензопреобразователе, рассчитанном на высокое давление и имеющим толстую мембрану 1, экстремумы радиальной и тангенциальной деформаций, а также их разности находятся на периферийном утолщенном основании мембраны. Соответственно тензорезисторы 3, 4 расположены...