ТЕРУКОВ ЕВГЕНИЙ ИВАНОВИЧ
Изобретатель ТЕРУКОВ ЕВГЕНИЙ ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Управляющее устройство
Изобретение относится к области СВЧ-радиотехники и может быть использовано в системах накопления электромагнитной энергии, формирователях радиоимпульсов . Плавно изменяется величина проходной мощности. Устройство содержит волноводньй тройник 1 с несимметричным закороченным плечом 2, в котором установлен управляемый элемент (УЭ) 3, выполненный в виде пленки из.окислов или сульфидо...
1241315
Фотометрическое устройство
Изобретение относится к фотоэлектрическим устройствам, конкретнее к устройствам, предназначенным для фотометрических измерений освещенности , яркости. Цель изобретения - повышение точности измерения. Существуюище фотометрические устройства обладают недостаточной точностью измерения вследствие значительного отличия спектральной характеристики от кривой видности глаза и нестабильно...
1467404
Фотопроводящий материал
Изобретение относится к полупроводниковом материалам на основе аморфного гидрированного кремния, который может быть использован, например, для изготовления фотоприемников и позволяет увеличить фоточувствительность. Фотопрсводящий материал содержит 99,75-99,85 мае./Т аморфного гидрирогванчого л 0С15-0,5 мас.% диспрозия. 1 табл. СОЮЗ СС}ВЕТСНИХ СОЦМЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „,,Щ„...
1700046
Элемент управления матричной жидкокристаллической панели
Изобретение относится к индикаторной технике, в частности к жидкокристаллическим панелям, и может быть использовано в системах отображения информации (в картографии , вычислительной технике и телевидений ). Цель изобретения - повышение быстродействия элемента управления путем увеличения его рабочего тока. Поставленная цель достигается тем, что элемент управления матричной панели,...
1772821
Полупроводниковый фотоприемник
Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности, к поверхностно-барьерным приемникам ультрафиолетового излучения. Сущность изобретения: i-слой поверхностно-барьерного прибора выполнен из аморфного гидроге незиро ванного полупроводникового сплава а - 5п-хСх:Н при 0,2 х 0,5 толщио ной 700-3000 А. 2 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 18...
1806425