Денисенко Ю.И.

 Изобретение относится к способам создания многослойных структур "кремний на изоляторе" с захороненным слоем изолятора. Способ включает имплантацию ионов кислорода в подложку кремния с достехиометрическими дозами с образованием в ней диоксида кремния, имплантацию ионов, содержащих другое вещество, с энергией, обеспечивающей близкое расположение или совпадение максимума профиля концентрации...