ДВОРНИКОВ ОЛЕГ ВЛАДИМИРОВИЧ

  Изобретение относится к стабилизированным источникам питания. Целью изобретения является повьшение надежности стабилизатора в широком диапазоне входных напряжений, путем уменьшения выходного тока в режиме короткого замыкания. Цель достигает- .ся тем, что в стабилизатор введены токовое зеркало .14, транзистор 12 и резистор 13. При коротком замыкании транзистор 12 открывается и его...

  Изобретение относится к радиотехнике . Цель изобретения - компенсация входного тока смещения по инвертирующему входу в широком диапазоне входного дифференциального . сигнала. Дифференциальный усилитель содержит два входных транзистора (Т) 1 и 2 одной структуры, а также четыре Т 3, 4, 7 и 8, компенсирующий Т 5 и нагрузочный Т 6 другой структуры, два генератора тока (ГТ) 9 и 10 и п...

  Изобретение относится к радиотехнике . Цель изобретения - повьшение точности отражения тока. Токовое зеркало содержит входной и выходной транзисторы 1 и 4, входную и выходную клеммы 2 и 6, управляющий транзистор 3, шины 3 и 8 источника питания и компенсирующий транзистор 7. Входной ток токового зеркала отражается токовым зеркалом, выполненным на транзисторах 1, 3 и 4, причем к вы...

  Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает повышение тон ности путем уменьшения смещения нуля. Дифференциальный усилитель (ДУ) содержит , входные транзисторы (Т) 1, 2, выходные Т 3-6, отражатели тока 7, 8 и источник 9 тока. Входные Т 1, 2 Вход lU ход 7 1Ц выполнены полевыми. При нулевом входном дифференциальном сигнале (ВДС) ток источника 9 распределяется по базам Т 3-6...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 3 у составляет iles р, Ь --г — + RE + Re (1, lc lñ с (2) где I< — колле кторный ток; 1709229 lE0- обратный ток насыщения перехода эмиттер-база; рг — температурный потенциал; а..— статический коэффициент передачи тока в схеме с общей базой. 5 Соотношение (2) можно прг:дставить в следующем виде: u>< = «р, Ь „+ Ь, (3) где Ь...

  Использование: проектирование аналоговых и аналого-цифровых базовых матричных кристаллов. Сущность изобретения: интегральная схема содержит горизонтальный p-n-ри два вертикальных п-р-п-транзистора, вокруг эмиттерной области горизонтального транзистора сформированы две замкнутые области того же типа проводимости , что и эмиттер горизонтального транзистора, частично перекрывающие о...