ЦВЕТКОВ ВАЛЕРИЙ ФЕДОРОВИЧ

  Изобретение относится к неразрушающим методам контроля технологических процессов. Повьппается точность и расширяется диапазон измеряемых удельных сопротивлений. Исследуемый материал помещают в СВЧ-резонатор, охлаждают до т-ры 1,4-4,2 К и возбуждают в СВЧ-резонаторе электромагн. колебания. Затем снимают зависимость поглощения СВЧ-мощности от величины приложенного постоянного магн....

  Изобретение относится к оборудованию для гальванотехники и может быть использовано в промышленных автоматизированных гальванических линиях. Цель изобретения - повышение точности контроля средней толщины гальванических покрытий. Система содержит гальваническую ванну 1 с анодом А и катодом К, датчик 2 толщины покрытия, который состоит из трех электродов: измерительного 3, вспомогате...

  А1 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„Я0„„16381 (51) С 04 В 35/58 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕП=НИЛ Н АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 4671699/33 (22) 31. 03.89 (46) 30.03.91. Бюл. № 12 (71) Куйбышевское производственное объединение "Завод им. Маслечникова" (72) Н. Б . Рафа евич, Н .И. Бондар ева Л.Л. Рафельсон,...

  Изобретение относится к твердотельной электронике, конкретно к технологии получения монокристаллических твердых растворов на основе карбида кремния. Материал на основе эпитаксиальных слоев гетеровалентного твердого раствора имеет состав (SiC)i-x(Nbc)x, где О Х {. Ширина запрещенной зоны меньше, чем у карбида кремния. Материал имеет радиационную и химическую стойкость и стабильнос...

  Изобретение относится к технике определения температуры в высокотемпературных печах и позволяет повысить точность определения объемного распределения температуры в электронагревателях из карбида кремния. Способ контроля заключается в размещении образца, в качестве которого используют часть электронагревателя на основе пористого поликристаллического карбида кремния, от которого по...

  Использование: твердотельная электроника . Полупроводниковый материал на основе эпитаксиальных слоев твердого раствора имеет состав: (SiC)t-x(ZrC)x, где О X 1. Материал получают путем непосредственного высокотемпературного контакта кристаллических пластин SIC и 2гС. Материал может работать в химически агрессивных средах. Достигнуто уменьшение ширины запрещенной зоны. Возможно упр...