Еременко А.Н.

 Использование: технология изготовления ИС на этапе формирования резисторов и защитных металлических покрытий. Сущность изобретения: процесс реактивного ионно-плазменного травления пленок Та, TaN, TaAl в плазме BCl3-Cl2-CCl4-N2 с дотравливанием остатков этих пленок на рельефной поверхности в плазме CF4-O2 или SF6-O2. Технический результат изобретения заключается в уменьшении разброса значе...

 Использование: в промышленной дозиметрии и при осуществлении индивидуального дозиметрического контроля. В способе регистрации ионизирующего излучения в качестве термолюминесцентного материала используют алмаз в ультрадисперсной форме с размером частиц , полученный детонационным способом. Технический результат: расширение диапазона регистрируемых доз облучения. 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 1 табл. И...

 Способ относится к области микроэлектроники, к технологии изготовления интегральных схем на этапе формирования многоуровневой металлической разводки. Сущность изобретения: для формирования наклонного профиля переходных окон в диэлектрике сформированная на его поверхности фоторезистивная маска подвергается термообработке при 140-160oС до получения наклонных стенок окон, а затем плазмохимич...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем на этапе плазменного травления пассивирующих покрытий. Техническим результатом изобретения является устранение образования фторуглеродной пленки, что приводит к повышению качества изделий. Сущность изобретения заключается в проведении процесса плазменного травления двухслойного пассивирующего покрытия SiC-Si3N4 в газовой...

 Изобретение относится к способу изготовления в едином технологическом цикле микроэлектромеханического устройства и электронной схемы управления. Способ включает формирование на полупроводниковой пластине изоляционного слоя оксида методом окисления в сухом кислороде, осаждение защитной пленки LPCVD нитрида кремния. Осаждение первого слоя LPCVD поликремния, формирование с помощью литографии...