Бокарев В.П.

  Использование: в микроэлектронике, для травления функциональных слоев нитрида и двуокиси кремния, тугоплавких металлов и других материалов. Сущность изобретения: способ плазмохимического травления включает размещение обрабатываемого образца на электроде-подложкодержателе в реакционной камере, покрытие по крайней мере части рабочих элементов реакционной камеры галогенсодержащим твердым ве...

 Использование: в микроэлектронике для травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ реактивно-ионного травления нитрида кремния включает травление поверхности Si3N4 в плазме газовой смеси хладона с кислородом и аргоном. В качестве хладона используют 1,1,2,2-тетрафторэтан (С2F4Н2). Техническим результатом является увеличе...

 Использование: в микроэлектронике для очистки поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность: помещают очищаемую пластину в вакуумную камеру и обрабатывают поверхность пластины интенсивной струей криоаэрозоля азота и аргона, с добавками примеси кислорода в присутствии ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 200 нм. Технический результат изобр...