ЛИ Джоо Янг (KR)
Изобретатель ЛИ Джоо Янг (KR) является автором следующих патентов:
Полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти (варианты), и способ его изготовления
Использование: динамические оперативные запоминающие устройства. Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти, содержит первый и второй транзисторы, образованные на первом уровне; первый электрод хранения, соединенный с первым транзистором и выполненный под первым уровнем, и второй электрод хранения, с...
2194338