PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЛИ Джоо Янг (KR)

Изобретатель ЛИ Джоо Янг (KR) является автором следующих патентов:

Полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти (варианты), и способ его изготовления

Полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти (варианты), и способ его изготовления

 Использование: динамические оперативные запоминающие устройства. Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти, содержит первый и второй транзисторы, образованные на первом уровне; первый электрод хранения, соединенный с первым транзистором и выполненный под первым уровнем, и второй электрод хранения, с...

2194338