ШТРАЙТ Петер (CH)

 Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов. В тиристоре с двухсторонним управлением запирающая структура не должна неконтролируемо отпираться за счет нежелательной миграции носителей зарядов. Это достигается за счет того, что степень закорачивания катодных областей возрастает в направлении разделительной области. В частности, это может быть достигнуто за счет того...