АФАНАСЬЕВ СТАНИСЛАВ МИХАЙЛОВИЧ

  Изобретение позволяет получать с высокой чувствительностью информацию о структуре тонких приповерхностных слоев до толщины 1 нм на двухкристальном спектрометре. Угловое распределение интенсивности при различных углах отворота .исследуемого кристалла от точного брэгговского угла определяют с помощью детектора со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскост...

  Использование: анализ кристаллов, контроль микродеформаций полупроводниковых кристаллов. Сущность изобретения: перед исследуемым образцом устанавливают эталон-монокристаллическую пластину материала образца, в которой отсутствует изгиб атомных плоскостей. Рентгеновское излучение направляют одновременно на образец и эталон. Измеряют разницу угловых положений пиков отражений образца...