ЛОМОВ АНДРЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ

  Изобретение позволяет получать с высокой чувствительностью информацию о структуре тонких приповерхностных слоев до толщины 1 нм на двухкристальном спектрометре. Угловое распределение интенсивности при различных углах отворота .исследуемого кристалла от точного брэгговского угла определяют с помощью детектора со щелью, линейно перемещающегося в плоскости, перпендикулярной плоскост...

  Изобретение относится к рентгенодифракционному анализу приповерхностных слоев монокристаллов и может быть использовано для анализа воздействий на образец различных технологических процессов. Цель изобретения - повышение чувствительности к тонким приповерхностным слоям, расширение возможных ориентаций кристаллов и получение дополнительной информации о нарушенных слоях. По предлагае...

  Изобретение относится к рентгенодифракционному анализу приповерхностных слоев совершенных кристаллов и может быть использовано для отработки технологии создания изделий микроэлектроники. Цель изобретения - повышение локальности измерений и расширение класса исследуемых кристаллов. Способ включает в себя облучение образца коллимированным в плоскости падения пучком рентгеновского из...