Билалов Б.А.

 1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100-1400 К и воздействии на него постоянного электрического тока. 2. Способ по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с...