Москалев Г.Я.
Изобретатель Москалев Г.Я. является автором следующих патентов:
Источник ионов
ИСТОЧНИК ИОНОВ с продольным магнитным полем, содержащий разрядную камеру с установленными в ней катодом, анодом, тиглем и паропроводом, выход которого расположен вблизи катода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, на выходе паропровода установлена пластина из теплопроводящего тугоплавкого материала, электрически соединенная с катодом. Изобретение относится к ионно-плазменн...
1269688Способ изготовления полевых транзисторов с барьером шоттки
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации. Цель изобретения - повышение выхода годных транзисторов, создание резкого градиента на границе раздела n-слой - подложка и уменьшение влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой. Цель достигается путем проведения перед...
1574110