Валеев А.С.

 СПЛАВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ содержащий кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения коррозионной стойкости, он дополнительно содержит барий при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кремний - 0,2 - 2,5 Барий - 0,01 - 1,0 Алюминий - Остальное Изобретение относится к металлургии, в частности к сплавам на основе алюминия, используемым для изготовления проводящих слоев в дискретных полу...

 Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников. Способ включает следующие операции. На подложке формируют проводники. Наносят диэлектрическую пленку. Наносят пленку резиста. Над центральной частью поверхности проводников пле...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем за счет исключения дополнительного роста 1 пленок AITI и AITISI, а также увеличения стойкости к электромиграции и шипообразованию. Указанная цель достигается тем, что в интегральных схемах металлиза...

 Использование: изобретение относится к технологи производства интегральных схем (ИС), в частности к технологии изготовления многоуровневой металлизации в ИС. Сущность изобретения: в способе на поверхность ИС с металлизацией наносят первый диэлектрический слой диоксида кремния. Затем наносят пленкообразующий раствор и путем его отжига при нагревании со стороны подложки образуют планаризующ...

 Сущность изобретения: способ включает формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки толщиной h 2.5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки жидкостным методом на глубину, равную толщине проводников, удаление фоторезиста и повторное травление диэлектрической пленки на глу...