Коршикова Т.И.

  Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития и обеспечивает уг|1еньшёние отклонения шихты от заданного аехиометрического соотношения и фазового состава. Способ включает сухое перемешивание окиси ниобия или тантала и углекислого лития и обжиг смеси при 1100-1150°С. Способ отличается тем, что перед смешиванием om...