Хитько В.И.

 Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими ш...

 Изобретение относится к устройствам для получения интенсивных ленточных пучков ионов металлов, включая тугоплавкие, их сплавов, и может быть использовано для технологических целей (ионная имплантация, осаждение пленок заданного материала в вакууме и т.д.) и научных исследований. Целью изобретения является получение ленточных пучков тугоплавких металлов с высоким коэффициентом использовани...