PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЯРОШЕЦКИЙ ИЛЬЯ ДАВИДОВИЧ

Изобретатель ЯРОШЕЦКИЙ ИЛЬЯ ДАВИДОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения показателя преломления в инфракрасной области спектра

Способ определения показателя преломления в инфракрасной области спектра

  ССВОЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК 1 А1 аВЯ ан 1 (58 4 С О1 Я 21/41 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н ASTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (2i) 3856067/31-25 (22) 14.02.85 (46) 30. 12.86. Бюл. В 48 (71) Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе (72) В.Ю. Некрасов, A.À. Поляков, В.Н. Трухин и И.Д. Ярошецкий (53) 535.24(088.8) (...

1280501

Фотографическая камера

Фотографическая камера

  Изобретение относится к кинофототехнике и нозволяет упростить эксплуатацию камеры за счет автоматизации регулирования величины проходящего через затвор светового потока. Электрооптический регулятор выполнен в виде МДП-структуры 5 на основе фотоактивмо поглощающего световой поток полуизолирующего полупроводникового кристалла, подключенной к источнику 7 постоянного электрического н...

1312514

Способ коммутации светового потока

Способ коммутации светового потока

  Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в устройствах оптической обработки информации. Целью изобретения является увеличение скорости коммутации световых потоков. Туннельную МДПМ - структуру, выполненную на основе высокоомного теллурида кадмия и содержащую р-п-переход в объеме полупроводника, через которую параллельно р-п-переходу пропускают плоскополяриз...

1506421

Способ определения напряженности магнитного поля и устройство для его осуществления

Способ определения напряженности магнитного поля и устройство для его осуществления

  Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для исследования пространственных и временных свойств магнитных полей. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем измерения двух компонент вектора напряженности магнитного поля, а также повышение пространственного и временного разрешения - достигается тем, что однородную полупроводниковую монокрист...

1624375

Способ определения параметров магнитооптического резонанса электронов в полупроводниках

Способ определения параметров магнитооптического резонанса электронов в полупроводниках

  Сущность изобретения: полупроводниковый образец, помещенный в постоянное магнитное поле, облучают монохроматическим светом, направленным параллельно направлению магнитного поля. Измеряют зависимость фототока, направленного параллельно направлению облучения от величины прилагаемого м,агнитного поля. Величину резонансного магнитного поля и ширину резонанса определяют из полученной...

1767583