ХРАМЦОВ В.А.
Изобретатель ХРАМЦОВ В.А. является автором следующих патентов:

Способ регистрации сигналов электронного парамагнитного резонанса в полупроводниках
Изобретение относится к физике твердого тела, к радиоспектроскопии твердого тела и может быть использовано для изучения структуры и свойств парамагнитных центров в полупроводниках . .Предложенный способ позволяет регистрировать сигналы ЭПР парамагнитных центров в слабых магнитных полях (100-1000 Гс) при концентрао -I ции центров 10 см. Увеличение чувствительности достигается тем,...
1285898