Бычков С.С.

 Использование: в электронной полупроводниковой технике, в частности при конструировании мощных кремниевых МДП-транзисторов, предназначенных для усиления и генерирования мощности в ВЧ и СВЧ-диапазоне длин волн. Сущность изобретения: в конструкции мощного СВЧ МДП-транзистора, содержащего полупроводниковую подложку с высокоомным и высоколегированным слоями первого типа проводимости, элемента...