Басенко В.И.
Изобретатель Басенко В.И. является автором следующих патентов:
Устройство для образования шарика при микросварке
Изобретение относится к микросварке для производства полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет повысить качество образования шарика в процессе термокомпрессионной микросварки и стабильность работы устройства путем регулирования разрядного тока в процессе образования шарика независимо от зазора между электродом и проволокой. 2 ил. Изобретение относится к микроэлектронике и может бы...
1289004Устройство для образования шарика при микросварке
Изобретение относится к автоматизации сварки и может быть использовано в установках для микросварки при монтаже полупроводниковых приборов термокомпрессионной, ультразвуковой и контактной сваркой. Цель изобретения - повышение качества образования шарика. Устройство содержит генератор тока, формирователь, автотрансформатор, ключи, реле времени, два интегратора, компаратор, делитель напряже...
1446784