РАШКОВИЧ ЛЕОНИД НИКОЛАЕВИЧ

  Изобретение относится к области контроля при выращивании монокристаллов . Целью изобретения является,одновременное в процессе роста кристалла измерение трех параметров: нормальной скорости роста грани крис-г тапла, рельефа грани, включая наклон вицинальных холмов, и тангенциальной скорости роста вицинальных холмов. Для этого регистрируется интерференционная картина, полученная в...