PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Хапаева Л.И.

Изобретатель Хапаева Л.И. является автором следующих патентов:

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом

 Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас....

1294032