PatentDB.ru — поиск по патентным документам

МУРАТОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ

Изобретатель МУРАТОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Лазерное осветительное устройство

Лазерное осветительное устройство

  Изобретение используется при разработке устройств для улучшения пространственной однородности пучков иобеспечивает плавное изменение плотности мощности в плоскости фокусировки. Фокусирующая оптическая система содержит линзы 3 и 4, первая из которых кинематически связана с растром 2. Вращением винта 6 осуществляется перемещение кареток растра 2 и линзы 3 в противофазе параллельно...

1295356

Оптическая система для освещения входной щели спектрального прибора

Оптическая система для освещения входной щели спектрального прибора

  Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано в осветителях спектрофотометров. Цель изобретения - повышение стабильности освещения при работе на разных участках спектра. При переходе на другой участок спектра проекционная линза 2, диафрагма 3, коллективная 4, коллекторная 5 и конденсорная 7 линзы, перемещаются вдоль оптической оси, а вогнутый уголко...

1509798

Преобразователь постоянного напряжения

Преобразователь постоянного напряжения

  Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано во вторичных источниках питания. Цель изобретения - повышение надежности путем уменьшения напряжения на транзисторах при переключении. Устройство содержит два плеча 1 и 2 из последовательно соединенных транзисторов 6 - 11. Между силовыми электродами транзисторов 6, 9 и 8, 11 включены первая и вторая обмот...

1534706

Вторично-эмиссионный радиоизотопный источник тока

Вторично-эмиссионный радиоизотопный источник тока

  Сущность изобретения: каждый из эмиттеров источника тока выполнен в виде электрически изолированных вакуумными промежутками последовательно чередующихся слоев двух различных металлов, коэффициенты вторичной ион-электронной эмиссии , которые различаются больше, чем на значение J/N, где J1 - среднее значение коэффициента вторичной эмиссии двух металловJ N - число пар слоев металлов...

1737559

Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на свч

Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на свч

  Использование: исследование физических и химических свойств сильнопоглощающих жидких систем. Сущность изобретения: способ определения комплексной диэлектрической проницаемости жидкости на СВЧ включает размещение слоя исследуемой жидкости (СИЖ) в короткбзамкнутый волновод, изменение СИЖ и измерение величин отраженной мощности для СИЖ, соответственно равных бесконечному слою, во вт...

1789941