МАКСИМЕНКО П.С.

  Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем с повышенной плотностью элементов. Целью изобретения является сохранение сплошности фоторезистивной маски С крупным профилем края и сокращение длительности технологического процесса. При изготовлении полупроводниковых микроструктур на подпожку наносят поликремний,, окисел кремкия и алюминий, формируют маску из фото...