БАЙРАМОВ М.А.
Изобретатель БАЙРАМОВ М.А. является автором следующих патентов:

Способ определения параметров полупроводников
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров легирования полупроводников Целью изобретения является неразрушак)- щее определение параметров объемного легирования полупроводника - концентрации основной легируницей примеси, степени ее компенсации и энергии активации . Согласно изобретению, при термостимулированном разряде МД...
1306404
Образец для зондовых измерений удельной проводимости и эдс холла
Изобретение касается определения кинетических характеристик твердых тел и может быть использовано для определения качества изтериалов, применяемых в твердотельной электротехнике, при исследовании фундаментальных свойств полупрсводмикоз и полупроводниковых прибоооз. Цель - по5;,шение точности измерений удельной проводимости и ЭДС Холла за счет устранения влияния конечности размеро...
1468325
Способ определения электрофизических характеристик проводящих каналов на ганице раздела полупроводник- диэлектрик
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик. Цель изобретения - увеличение числа определяемых параметров путем обгспечения определени...
1507138