МИХНОВ С.А.

  Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано для создания активных элементов и пассивных затворов в лазерах . Целью изобретения является повышение КПД лазера при одновременном расширении спектрального диапазона генерации .Для достижения поставленной Дели производят оптическую обработку кристалла,затем помещают данный кристалл в кадмиевый контейн...

  Изобретение относится, к способу получения активной среды из кристаллов фторида лития для перестраиваемых лазеров и обеспечивает расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм. Способ включает гамма-облучение оптически обработанного кристалла. Способ отличается тем, что облучение ведут при температуре не выше 240 К экспозиционной дозой 5-10 Кл/кг,после...