ГАВРОШЕВСКИ П.
Изобретатель ГАВРОШЕВСКИ П. является автором следующих патентов:
Способ геттерирования атомов тяжелых металлов и дефектов в полупроводниках
Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых материалов и приборов от рекомбинационно-активных примесей. Цель изобретения - повышение эффективности геттерирования и снижение температуры процесса. Достигается за счет облучения полупроводниковой структуры с геттерирующим слоем легкими частицами высоких энергий. Отжиг,проводится одновременно с облучением илипосле нег...
1313254