ЭМЕКСУЗЯН В.М.

  Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых материалов и приборов от рекомбинационно-активных примесей. Цель изобретения - повышение эффективности геттерирования и снижение температуры процесса. Достигается за счет облучения полупроводниковой структуры с геттерирующим слоем легкими частицами высоких энергий. Отжиг,проводится одновременно с облучением илипосле нег...