ТАКЕШИ Саито (JP)

 Использование: в газовой, угольной и других областях промышленности для регистрации водорода и газов метановой группы. Сущность: в газочувствительном датчике полевой транзистор расположен на диэлектрическом слое, сформированном на поверхности монокристаллического кремния. Затвор полевого транзистора снабжен двумя контактами для обеспечения его электрического нагрева до температуры разложе...

 Изобретение может быть использовано для формирования сверхмелких и сверхглубоких р - n-переходов в полупроводниковых материалах, для их очистки от загрязняющих примесей, а также для тотального или локального изменения их оптических свойств и цвета. Сущность изобретения: предлагается радиационный электротермодиффузионный метод, заключающийся в проведении термоэлектродиффузии в электрическо...

 Изобретение относится к области технологии кремниевых интегральных схем с субмикронными размерами. Скрытый диэлектрический слой донной части диэлектрической изоляции формируют путем термического окисления кремния с предварительным созданием слоя с радиационными дефектами в кремнии. Для этого используется метод имплантации ускоренных ионов элементов, не создающих в кремнии легирующих донор...

 Изобретение относится к наноэлектронике. Его использование при создании динамического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации (ДОЗУ ПВ) позволяет получить технический результат в виде повышения надежности работы и быстродействия ячейки памяти за счет введения в ее схему биполярного транзистора (БТ) и нелинейного резистора (R), что позволяет усиливать инфор...

Способ относится к обработке алмазов искусственного и естественного происхождения и может найти широкое применение в ювелирной промышленности как для их облагораживания, так и для придания им новых потребительских свойств. Сущность изобретения: обработку алмазов осуществляют воздействием электронного пучка с интегральным потоком в интервале 5·1015-5·1018 электрон/см2 и отжига в инт...