Мурашев В.Н. (RU)

 Использование: в газовой, угольной и других областях промышленности для регистрации водорода и газов метановой группы. Сущность: в газочувствительном датчике полевой транзистор расположен на диэлектрическом слое, сформированном на поверхности монокристаллического кремния. Затвор полевого транзистора снабжен двумя контактами для обеспечения его электрического нагрева до температуры разложе...

 Изобретение относится к области атомного приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано, в частности, при создании координатных чувствительных детекторов релятивистских частиц, рентгеновского и нейтронного излучения. Технический результат изобретения заключается в увеличении чувствительности, точности, быстродействия и надежности. Сущность: детектор содержит двумерную матриц...

 Изобретение может быть использовано для формирования сверхмелких и сверхглубоких р - n-переходов в полупроводниковых материалах, для их очистки от загрязняющих примесей, а также для тотального или локального изменения их оптических свойств и цвета. Сущность изобретения: предлагается радиационный электротермодиффузионный метод, заключающийся в проведении термоэлектродиффузии в электрическо...

 Изобретение относится к области технологии кремниевых интегральных схем с субмикронными размерами. Скрытый диэлектрический слой донной части диэлектрической изоляции формируют путем термического окисления кремния с предварительным созданием слоя с радиационными дефектами в кремнии. Для этого используется метод имплантации ускоренных ионов элементов, не создающих в кремнии легирующих донор...

 Изобретение относится к наноэлектронике. Его использование при создании динамического оперативного запоминающего устройства с произвольной выборкой информации (ДОЗУ ПВ) позволяет получить технический результат в виде повышения надежности работы и быстродействия ячейки памяти за счет введения в ее схему биполярного транзистора (БТ) и нелинейного резистора (R), что позволяет усиливать инфор...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ включает измерение выходного сигнала чувствительного элемента, помещенного в реакционную камеру в период теплового переходного процесса. В способе циклический процесс преобразуют в псевдонепрерывный, для чего тепловой переходный процесс формируют так, чтобы соблюдалось постоянство значения теплообменного критериального числа БИО, а его значение...