Мордкович В.Н. (RU)

 Использование: в газовой, угольной и других областях промышленности для регистрации водорода и газов метановой группы. Сущность: в газочувствительном датчике полевой транзистор расположен на диэлектрическом слое, сформированном на поверхности монокристаллического кремния. Затвор полевого транзистора снабжен двумя контактами для обеспечения его электрического нагрева до температуры разложе...

 Изобретение относится к области технологии кремниевых интегральных схем с субмикронными размерами. Скрытый диэлектрический слой донной части диэлектрической изоляции формируют путем термического окисления кремния с предварительным созданием слоя с радиационными дефектами в кремнии. Для этого используется метод имплантации ускоренных ионов элементов, не создающих в кремнии легирующих донор...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ включает измерение выходного сигнала чувствительного элемента, помещенного в реакционную камеру в период теплового переходного процесса. В способе циклический процесс преобразуют в псевдонепрерывный, для чего тепловой переходный процесс формируют так, чтобы соблюдалось постоянство значения теплообменного критериального числа БИО, а его значение...