Хмельницкий С.Л. (RU)

 Изобретение относится к области атомного приборостроения и микроэлектроники и может быть использовано, в частности, при создании координатных чувствительных детекторов релятивистских частиц, рентгеновского и нейтронного излучения. Технический результат изобретения заключается в увеличении чувствительности, точности, быстродействия и надежности. Сущность: детектор содержит двумерную матриц...

Использование в микроэлектронике, а именно в технологии изготовления интегральных схем (ИС) с использованием комплементарных биполярных транзисторов NPN и PNP с носителями разного типа проводимости. Сущность изобретения: способ изготовления комплементарных вертикальных биполярных транзисторов в составе интегральных схем по предлагаемому изобретению приводит к тому, что размеры эмиттера и базы тран...