PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Шнитов В.В.

Изобретатель Шнитов В.В. является автором следующих патентов:

Электростатический спектрометр для энергетического и углового анализа заряженных частиц

Электростатический спектрометр для энергетического и углового анализа заряженных частиц

 Использование: при исследовании поверхностей веществ, плазмы, процессов электронных и атомных столкновений, в области энергоанализа заряженных частиц. Сущность изобретения: спектрометр заряженных частиц содержит два соосных конических электрода 1 и 2, с помощью которых осуществляется дисперсия частиц по энергии, и фокусирующую систему 8, расположенную между источником заряженных частиц и...

1814427

Электрическое устройство для энергетического и углового анализа заряженных частиц

Электрическое устройство для энергетического и углового анализа заряженных частиц

 Изобретение относится к приборам для анализа угловых и энергетических распределений заряженных частиц и может применяться для исследования твердого тела, плазмы, процессов электронных и атомных столкновений. Сущность изобретения: существующие устройства не позволяют измерять в одной экспозиции распределения частиц по углу и энергии, что осуществляется в предлагаемом устройстве и приводит...

1814428

Способ определения содержания кислорода в y1ba2cu3o3 - материале (варианты)

Способ определения содержания кислорода в y1ba2cu3o3 - материале (варианты)

 Использование: изобретение (варианты) относятся к исследованию материалов путем определения их физических свойств. Сущность изобретения: способ включает зондирование поверхности материала электронами средних энергий. Ток зондирующих электронов задают не большим 100 нА, измеряют участок спектра в режиме счета отдельных электронов в недифференцированном виде и в диапазоне потерь энергии 0&l...

2065155

Способ получения наноструктуры "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник"

Способ получения наноструктуры "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник"

 Изобретение относится к получению структур "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник" или MIS-структур. Предложен способ получения наноструктуры "металл/диэлектрик/высокотемпературный сверхпроводник", по которому на поверхность купратного высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) воздействуют потоком ускоренных частиц с энергией, необходимой для их проникновения в материал н...

2197037