Авдеев И.И.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых соединений. Цель улучшение качества эпитаксиальных структур за счет уменьшения величины переходного слоя. Данным способом проводят эпитаксиальное заращивание углублений в подложке GaAs. На подложку наносят маскирующее покрытие с "окнами" под углубления. Производят локальное травление углублений в...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки. Согласно изобретению перед напылением металла проводят химическую обработку пластин фосфида индия в концентрированной плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106°С. Обработка длится не менее...

 Изобретение относится к технологии изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия и может быть использовано для создания полевых транзисторов, диодов и т.д. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой. На поверхности полупроводника путем химического травления через маск...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, и может быть использовано в технологии получения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия. Цель изобретения - улучшение качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур. В данном способе пластины арсенида галлия обрабатыв...