Гантман И.Я.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых соединений. Цель улучшение качества эпитаксиальных структур за счет уменьшения величины переходного слоя. Данным способом проводят эпитаксиальное заращивание углублений в подложке GaAs. На подложку наносят маскирующее покрытие с "окнами" под углубления. Производят локальное травление углублений в...