Колмакова Т.П.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых соединений. Цель улучшение качества эпитаксиальных структур за счет уменьшения величины переходного слоя. Данным способом проводят эпитаксиальное заращивание углублений в подложке GaAs. На подложку наносят маскирующее покрытие с "окнами" под углубления. Производят локальное травление углублений в...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки. Согласно изобретению перед напылением металла проводят химическую обработку пластин фосфида индия в концентрированной плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106°С. Обработка длится не менее...

 Изобретение относится к технологии изготовления локальных эпитаксиальных структур фосфида индия и может быть использовано для создания полевых транзисторов, диодов и т.д. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой. На поверхности полупроводника путем химического травления через маск...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, и может быть использовано в технологии получения полупроводниковых структур на основе арсенида галлия. Цель изобретения - улучшение качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур. В данном способе пластины арсенида галлия обрабатыв...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к процессам контроля при производстве многослойных гетероструктур. Целью изобретения является повышение точности определения толщин в слоях GaAs и GaxAl1-xAs, где x 0,1. В данном способе обработку слоя GaAs проводят в травителе при следующем количественном содержании ингредиентов, об.ч.: аммиак водный 1; перекись водорода 350...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к получению поверхностей арсенида галлия без углеродсодержащих загрязнений. Цель изобретения - улучшение качества поверхности арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В способе после химико-механической полировки в течение времени не более 10 мин проводят химическую обработку в растворе перекиси водорода. П...

 Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев из газовой фазы. Целью изобретения является повышение качества осаждаемых слоев за счет равномерности распределения газового потока. Устройство может быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев типа A3B5 , в частности арсенида галлия. Сл...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке технологии производства полупроводниковых приборов. Цель изобретения - увеличение срока консервации уровня углеродосодержащих загрязнений. В данном способе пластины арсенида галлия очищают от углеродосодержащих загрязнений и обрабатывают в концентрированной перекиси водорода не менее 5 мин. Затем по...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии. Цель изобретения - повышение качеств поверхности пластин арсенида галлия за счет снижения уровня углеродных загрязнений. В данном способе проводят обработку в травителе, содержащем, мас.ч.: водный аммиак (25%)-1; перекись водорода (30%) 1,5 - 2,18; вода 5,45 - 1,09. Дл...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пластин арсенида галлия на стадии финишного копирования. Цель изобретения улучшение плоскостности пластин при сохранении качества поверхности. Указанная цель достигается воздействием на пластины вращающегося полировальника и полирующего состава, содержащего абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для полирования полупроводниковых частиц. Целью изобретения является повышение точности обработки. Указанная цель достигается тем, что на каждый спутник наклеивают три пластины, размещают спутники в гнездах кассеты, действуют на пластины вращающимся полировальным и абразивной композицией, причем линейная скорость...