Душева Л.Н.

 Использование: при изготовлении низкобарьерных диодов Шоттки на арсениде галлия. Сущность изобретения: в способе изготовления диода Шоттки, включающем фотолитографию рисунка барьерной области, нанесение на эту область многокомпонентной металлической пленки методом вакуумного термического напыления и термообработку металлической пленки с последующим охлаждением, в качестве металлической пл...